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首頁-技術(shù)文章-橢偏儀在鈣鈦礦太陽能電池行業(yè)中的應(yīng)用

橢偏儀在鈣鈦礦太陽能電池行業(yè)中的應(yīng)用

更新時(shí)間:2026-06-03      點(diǎn)擊次數(shù):154

一、鈣鈦礦太陽能電池介紹

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太陽能電池是一種能將太陽能轉(zhuǎn)換為電能的光伏器件。太陽能電池可以應(yīng)用于發(fā)電廠,照明,汽車,通風(fēng)系統(tǒng)等商用和家用的場(chǎng)景。太陽能電池可以分為第一代、第二代和第三代電池。第一代電池也稱為傳統(tǒng)電池或晶硅電池,由商業(yè)上占主導(dǎo)地位的晶體硅制成,包括多晶硅和單晶硅等材料。第二代電池是薄膜太陽能電池,包括非晶硅,CdTe和CIGS電池。第三代太陽能電池包括多種薄膜技術(shù),通常被稱為新興光伏技術(shù)。晶硅電池的理論極限效率為29.4%,考慮到光學(xué)與電學(xué)的實(shí)際可能的損失后,其實(shí)際的理論效率只有27.1%。采用背接觸晶硅電池與異質(zhì)結(jié)晶硅電池結(jié)合工藝制備的晶硅電池效率世界記錄為26.7%,接近晶硅電池實(shí)際的理論極限效率。

鈣鈦礦具有帶隙可調(diào)、工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),目前正處于從實(shí)驗(yàn)室到大尺寸工業(yè)制造階段。鈣鈦礦材料泛指一類化學(xué)組成與鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)相似的ABX3型化合物(如圖1所示),此類物質(zhì)在自然界中廣泛存在。由于最初發(fā)現(xiàn)的該類物質(zhì)僅具有鈣,鈦,氧三種元素,故將其命名為鈣鈦礦。鈣鈦礦太陽能電池(Perovskite solar-cells, PCSs)按照材料選擇可進(jìn)一步細(xì)分為鈣鈦礦-晶硅疊層,全鈣鈦礦疊層,鈣鈦礦-有機(jī)疊層,鈣鈦礦-CIGS疊層電池。目前產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度較快的是全鈣鈦礦疊層和鈣鈦礦-晶硅疊層電池。

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圖1 ABX3鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖

(來源:A review of characterization of perovskite film in solar cells by spectroscopic ellipsometry)

二、鈣鈦礦太陽能電池薄膜量測(cè)對(duì)象及意義

檢測(cè)是PCSs的研發(fā)與生產(chǎn)過程中的重要環(huán)節(jié)。在PCSs的研發(fā)過程中,需進(jìn)行光電性能,光熱穩(wěn)定性和薄膜厚度等檢測(cè)。研究人員根據(jù)檢測(cè)結(jié)果對(duì)實(shí)驗(yàn)條件進(jìn)行調(diào)整,達(dá)到優(yōu)化PCSs性能的目的。在PCSs的生產(chǎn)過程中進(jìn)行各項(xiàng)檢測(cè),可以對(duì)產(chǎn)品的各項(xiàng)性能進(jìn)行監(jiān)控,有助于實(shí)現(xiàn)高效的質(zhì)量控制,降低生產(chǎn)成本。

目前,PCSs為薄膜器件結(jié)構(gòu),主要包括活性吸光層(鈣鈦礦層),界面修飾層(空穴傳輸層和電子傳輸層)以及電極層(透明電極和金屬對(duì)電極)。器件中的不同功能層遵循一定的排列順序,即透明電極/電子傳輸層(Electron transport-layer, ETL)/鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層(Hole transport-layer, HTL)/金屬電極,該結(jié)構(gòu)被稱為常規(guī)正向(n-i-p)結(jié)構(gòu),而p-i-n型器件被稱為倒置結(jié)構(gòu),如圖2所示。

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圖2 n-i-p結(jié)構(gòu)和p-i-n結(jié)構(gòu)示意圖

n-i-p結(jié)構(gòu)的PCSs為例。鈣鈦礦層,HTLETL,透明電極和金屬電極的工藝條件會(huì)影響對(duì)應(yīng)薄膜的成膜質(zhì)量與厚度,進(jìn)而影響PCSs的光學(xué)和電學(xué)性能。

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對(duì)這些膜層的光學(xué)參數(shù)和厚度進(jìn)行快速、非破壞、準(zhǔn)確的量測(cè)能有效提高PCSs器件的光電性能,為PCSs器件的設(shè)計(jì)提供準(zhǔn)確的參考。

三、鈣鈦礦太陽能電池的量測(cè)解決方案

推薦使用頤光科技ME-Mapping-L全自動(dòng)高精度穆勒矩陣光譜橢偏儀測(cè)量,ME-Mapping-L采用了行業(yè)前沿的創(chuàng)新技術(shù),包括消色差補(bǔ)償器、雙旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器同步控制、穆勒矩陣數(shù)據(jù)分析等,支持mapping路徑自定義設(shè)置,能一次完成膜厚和nk的多點(diǎn)掃描,實(shí)現(xiàn)了測(cè)量數(shù)據(jù)的高準(zhǔn)確性和高重復(fù)性精度,可以滿足PSCs行業(yè)量測(cè)需求。

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圖3 頤光科技ME-Mapping-L 設(shè)備示意圖

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四、測(cè)量案例介紹

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1. 導(dǎo)電玻璃(ITO玻璃)

對(duì)ITO玻璃進(jìn)行建模測(cè)量,其結(jié)構(gòu)示意圖見圖4

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4 ITO玻璃膜層結(jié)構(gòu)

ITO玻璃的橢偏光譜擬合結(jié)果如圖5所示,ITOnk如圖6所示,滿足工藝預(yù)期。

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5 ITO玻璃的橢偏光譜擬合圖

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6 ITOnk曲線

2. 鈣鈦礦層

i)對(duì)玻璃上的單層鈣鈦礦進(jìn)行建模測(cè)量,其結(jié)構(gòu)示意圖見圖7

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7 鈣鈦礦膜層結(jié)構(gòu)

鈣鈦礦的橢偏光譜擬合結(jié)果如圖8所示,鈣鈦礦的nk如圖9所示,光學(xué)常數(shù)與厚度滿足工藝預(yù)期。

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8 Glass-鈣鈦礦玻璃的橢偏光譜擬合圖

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9 鈣鈦礦的nk曲線

ii)對(duì)ITO玻璃上的鈣鈦礦進(jìn)行建模測(cè)量,其結(jié)構(gòu)示意圖見圖10

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10 Glass-ITO-鈣鈦礦膜層結(jié)構(gòu)

橢偏光譜擬合結(jié)果如圖11所示,鈣鈦礦的厚度分布熱力圖如圖12所示,滿足工藝預(yù)期。

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11 Glass-ITO-鈣鈦礦的橢偏光譜擬合圖

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12 鈣鈦礦的厚度分布熱力圖

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